第四十九章 光刻机(1/2)

&么了，看你们的表情，难道碰到什么难题了。“凌世哲看到三位的表情感到非常的奇怪，不至于吧，技术要点全都跟你们点出来了，你们按部就班的还搞不出来？

徐宏博说道：“凌少是这样的，cmos工艺设计我们现在已经完成了60，现在关键的是我们被当中的电感耦合等离子体刻蚀机的问题上遇到了障碍，我们发现要想解决这个问题非得花上10年时间以上。”

凌世哲明白了，徐宏博所说的电感耦合等离子体刻蚀机，简称icp，是芯片光刻工艺中必不可少的一个关键设备。

这种设备在历史上诞生在90年代初期，icp诞生后就迅速得到普及，在半导体芯片工艺生产中一直都在使用，知道他穿越前一直都还在用。

它是一种高密度的等离子体刻蚀设备，特点是具有低压，简单的气体混合；改进的可重复性，最关键是它对集成电路的刻蚀中对集成电路的集成度得提高上没有任何上限，不管你的集成电路是微米级，还是纳米级，哪怕就是到了埃米级他都一样能够胜任。而其他的刻蚀机就不同了，他对集成度都有上限要求，集成度达到了上限就必须更换，可以说icp刻蚀机未来的发展方向。

正式因为它的这些优点，凌世哲当初交给王海华的资料中才会带有icp刻蚀机的资料，虽然在资料中他点出了理论方向和关键技术要点，但icp刻蚀机技术太过复杂，凭着目前的条件还不能把它给生产出来，这已经超出了目前的技术能力范围。

历史上要到91年才生产出世界第一台icp，又经过了近10年时间才发展成熟。

现在才71年，显然还达不到制备的条件。

凌世哲闭着眼睛想了想，问道：“除了icp刻蚀机以外，还有其他障碍没有？”

&在问题就卡在这个刻蚀机上，只要刻蚀机的问题解决，那么整个工艺就算大功告成。”王海华说道。

&错嘛，进度很快嘛，就连分布式投影光刻机的技术问题你们也解决了？”凌世哲说的分布式投影光刻机是光刻机的一种，它不是用来对硅晶圆进行刻蚀的，而是用来曝光的。在芯片个生产过程中，硅晶圆表面要涂抹上一层抗蚀剂，那是一种带有芳香味的具有一点黏度及颜色的液体，光照后能改变抗蚀能力的高分子化合物，也就是俗称的光刻胶。

光刻胶里面含有感光剂，把它涂抹在晶圆片上烘干后，在交给光刻机进行投影曝光，就跟摄影照相一样。

光刻机在最早使用的是接触式光刻机，后来又发展出接近式光刻机，它是由接触式光刻机的改进而来的。

凌世哲的加拿大工厂所使用的光刻机就属于接触式光刻机，它是由日本尼康公司生产的，尼康也是世界上第一个发明光刻机的公司。凌世哲搞的光刻机是后来才出现的，他跳过了接触式、接近式光刻机的范畴，直接进步到分布式光刻机。

它属于投影式曝光技术范畴，每一步只投影一个曝光场，曝光完成后步进到另一个位置进行曝光，依次完成整个晶圆片的曝光。这种光刻机比上面两种光刻机要先进的多，使用分布式光刻机，生产芯片的集成度也要比前两种光刻机高上很多。

&凌，那个分布式光刻机，我们已经完成了百分之六十的设计，要全部完成设计还要等一段时间，这个机器虽然也是相当的复杂，但我们有信心能够在今年年底以前完成全部的设计，明年二三月份就会制造出第一台样机出来。现在关键的是我们被卡在了icp刻蚀机的技术上，我们这次来就是看小凌你有没有什么解决的办法。”王海华不好意思的说道，本来工艺设计委托给了他们去，技术要点都点出来，只需要按部就班就可以，但是现在两个学校召集了全部的精干力量都完不成，只好来找凌世哲要解决办法，他们三人都感到非常的脸红。

凌世哲却没有怪他们的意思，icp刻蚀机又被称为高能等离子刻蚀机，技术上极端的复杂，而且又多变量，现在不要说在香港，哪怕就是拿到美国，凭着目前的技术条件也搞不出来，哪怕就是10年以后搞出来，都比历史上整整提前了10年，他们能够做到这一步都已经很不容易了。

现在cmos工艺设计已经进行得差不多要完成了，现在卡在刻蚀机上面，迟迟都不能够完成，难道要真的等10年？凌世哲否定了等10年的想法，可是不等又有什么办法来迅速的攻克它呢？徐宏博已经说的很清楚了，现在不是技术上我们不能够解决，而是现在的科学技术条件还达不到它的要求，只能够等到技术条件达到了要求才能完成，这是急也急不来的。现在可不是后世，科技发展达到了极高的程度，现在这个时代的科技比起后世来说，太落后了。

如果不想等待，那就只有一个办法，重新找一个不那么复杂的刻蚀机来暂时的替代它，等到icp刻蚀机完成以后，在把它换回来。可一时之间凌世哲又去那里找可以替换的刻蚀机呢？

想了半天凌世哲也没想出办法来，抬头看到三位老教授一直在看着他，一时之间有点不好意思，说道：“不好意思三位教授，我走神了，我一直在想那种刻蚀机不那么复杂，能够先暂时得用着来，等到icp技术成熟以后，在使用它。”

&里，那里，我们没有完成凌少设计任务，还要来打扰凌少，是我们不好意思才对。”三位老先生急忙说道，徐宏博客套了两句后，不确定的问道